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                        化學氣相沉積CVD發展來源

                        化學氣相沉積CVD發展來源

                        發布時間:2021-08-12 瀏覽次數:

                           今天諾泰科技來給大家簡單分享下化學氣相沉積CVD的發展來源。

                           化學氣相沉積英文(Chemical Vapor Deposition)中的Vapor Deposition意為氣相沉積,其意是指利用氣相中發生的物理、化學過程,在固體表面形成沉積物的技術。按照機理其可以劃分為三大類:物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition,簡稱PVD),化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,簡稱CVD)和等離子體氣相沉積(Plasma Chemical Vapor Deposition,簡稱PCVD)。目前CVD的應用最為廣泛,其技術發展及研究也最為成熟,其廣泛應用于廣泛用于提純物質、制備各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。

                        化學氣相沉積

                           下面我們來主要看下CVD和PVD之間的區別。CVD沉積過程要發生化學反應,屬于氣相化學生長過程,其具體是指利用氣態或者蒸汽態的物質在固體表面上發生化學反應繼而生成固態沉積物的工藝過程。簡而言之,即通過將多種氣體原料導入到反應室內,使其相互間發生化學反應生成新材料,最后沉積到基片體表面的過程。

                           目前CVD技術在電子、機械等工業部門中發揮了巨大作用,特別對一些如氧化物、碳化物、金剛石和類金剛石等功能薄膜和超硬薄膜的沉積。尤其目前超純硅原料-超純多晶硅的生產只能通過CVD技術。

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